SiC的加入量對零膨脹硅磚性能的影響

　　我們對SiC的顆粒對硅磚性能的影響進(jìn)行試驗分析，結論選用粒度為≤0.088mmSiC加入硅磚試樣中，研究不同SiC加入量對零膨脹硅磚性能的影響。檢測試樣的體積密度，氣孔率，常溫耐壓強度，導熱系數，物相組成和顯微結構。

　　隨著(zhù)SiC加入量的增加，試樣的體積密度先升高后降低，顯氣孔率先降低后升高。分析認為：隨著(zhù)SiC加入量的增加，SiO2和SiC形成固相燒結，試樣的氣孔率降低，體積密度升高。隨著(zhù)SiC的加入量繼續增加，SiC于試樣中累積，SiC與SiC在1430℃很難燒結，試樣內部燒結差，孔隙多，試樣的體積密度降低，顯氣孔率升高。當SiC的加入量為5%時(shí)，零膨脹硅磚試樣的體積密度較大，顯氣孔率較低。

　　隨著(zhù)SiC加入量的增加，試樣的常溫耐壓強度隨著(zhù)SiC加入量的增加而增大;SiC的加入量為5%時(shí)，試樣的常溫耐壓強度達到43Mpa較大。隨著(zhù)SiC的加入量進(jìn)一步增加，試樣的常溫耐壓強度開(kāi)始下降。分析認為：零膨脹硅磚試樣在1430℃下燒結，隨著(zhù)SiC加入量的增加，SiO2與與SiC間形成固相燒結，試樣燒結較好，氣孔率較低，試樣的常溫耐壓強度升高，繼續增加SiC的加入量，SiC在試樣內部堆積，在1430℃溫度下，SiC顆粒間難以燒結，試樣結合差，孔隙較多，結構疏松，常溫耐壓強度降低。

　　經(jīng)過(guò)1430℃煅燒后，每組零膨脹硅磚試樣的衍射較強峰都是方石英相，SiC加入量為5%時(shí)，2θ為25.8處殘余石英特征峰峰高值較小，2θ為21.3處鱗石英的特征峰峰高值較大。通過(guò)HighscorePlus軟件，對每組XRD圖譜擬合半定量分析，可以觀(guān)察到，隨著(zhù)SiC加入量的增加，鱗石英的含量逐漸降低，說(shuō)明SiC的加入量的增多意味著(zhù)SiO2細粉量的減少，SiC不易被燒結，抑制鱗石英析晶，降低鱗石英的含量。

　　隨著(zhù)SiC加入量的增加，試樣的導熱系數先上升后下降，當SiC的加入量為6%時(shí)，試樣的導熱系數較大。隨著(zhù)SiC加入量繼續增加，試樣的導熱系數稍有降低。說(shuō)明SiC加入量過(guò)多，零膨脹硅磚試樣內部結構疏松，體積密度降低，導熱系數下降。

　　綜上所述：SiC的加入量為5%時(shí)，硅磚試樣體積密度、常溫耐壓強度和導熱系數較大，顯氣孔率較低。